Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 4 (October 2013)
Otwarty dostęp
Determination of indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by HRXRD study supported by BAC calculation of the measured energy gap
D. Pucicki
D. Pucicki
,
K. Bielak
K. Bielak
,
R. Kudrawiec
R. Kudrawiec
,
D. Radziewicz
D. Radziewicz
oraz
B. Ściana
B. Ściana
| 15 gru 2013
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 4 (October 2013)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
15 gru 2013
Zakres stron:
489 - 494
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0137-1
Słowa kluczowe
dilute nitrides
,
composition determination
,
quantum well
,
BAC band-anticrossing model
,
HRXRD high resolution X-ray diffraction
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
D. Pucicki
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
K. Bielak
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
R. Kudrawiec
Inst. of Physics, Wrocław University of Technology, Wyb. Wyspiańskiego 27, 50-370, Wrocław, Russia
D. Radziewicz
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
B. Ściana
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia