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Materials Science-Poland
Édition 31 (2013): Edition 4 (October 2013)
Accès libre
Determination of indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by HRXRD study supported by BAC calculation of the measured energy gap
D. Pucicki
D. Pucicki
,
K. Bielak
K. Bielak
,
R. Kudrawiec
R. Kudrawiec
,
D. Radziewicz
D. Radziewicz
et
B. Ściana
B. Ściana
| 15 déc. 2013
Materials Science-Poland
Édition 31 (2013): Edition 4 (October 2013)
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Publié en ligne:
15 déc. 2013
Pages:
489 - 494
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0137-1
Mots clés
dilute nitrides
,
composition determination
,
quantum well
,
BAC band-anticrossing model
,
HRXRD high resolution X-ray diffraction
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
D. Pucicki
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
K. Bielak
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
R. Kudrawiec
Inst. of Physics, Wrocław University of Technology, Wyb. Wyspiańskiego 27, 50-370, Wrocław, Russia
D. Radziewicz
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
B. Ściana
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia