Iniciar sesión
Registrarse
Restablecer contraseña
Publicar y Distribuir
Soluciones de Publicación
Soluciones de Distribución
Temas
Arquitectura y diseño
Artes
Ciencias Sociales
Ciencias de la Información y Bibliotecas, Estudios del Libro
Ciencias de la vida
Ciencias de los materiales
Deporte y tiempo libre
Estudios clásicos y del Cercano Oriente antiguo
Estudios culturales
Estudios judíos
Farmacia
Filosofía
Física
Geociencias
Historia
Informática
Ingeniería
Interés general
Ley
Lingüística y semiótica
Literatura
Matemáticas
Medicina
Música
Negocios y Economía
Química
Química industrial
Teología y religión
Publicaciones
Revistas
Libros
Actas
Editoriales
Blog
Contacto
Buscar
EUR
USD
GBP
Español
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrito
Home
Revistas
Materials Science-Poland
Volumen 31 (2013): Edición 4 (October 2013)
Acceso abierto
Determination of indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by HRXRD study supported by BAC calculation of the measured energy gap
D. Pucicki
D. Pucicki
,
K. Bielak
K. Bielak
,
R. Kudrawiec
R. Kudrawiec
,
D. Radziewicz
D. Radziewicz
y
B. Ściana
B. Ściana
| 15 dic 2013
Materials Science-Poland
Volumen 31 (2013): Edición 4 (October 2013)
Acerca de este artículo
Artículo anterior
Artículo siguiente
Resumen
Referencias
Autores
Artículos en este número
Vista previa
PDF
Cite
Compartir
Publicado en línea:
15 dic 2013
Páginas:
489 - 494
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0137-1
Palabras clave
dilute nitrides
,
composition determination
,
quantum well
,
BAC band-anticrossing model
,
HRXRD high resolution X-ray diffraction
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
D. Pucicki
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
K. Bielak
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
R. Kudrawiec
Inst. of Physics, Wrocław University of Technology, Wyb. Wyspiańskiego 27, 50-370, Wrocław, Russia
D. Radziewicz
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia
B. Ściana
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Z. Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Russia