Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 35 (2017): Zeszyt 4 (December 2017)
Otwarty dostęp
Thermal conductivity of silicon doped by phosphorus: ab initio study
B. Andriyevsky
B. Andriyevsky
,
W. Janke
W. Janke
,
V.Yo. Stadnyk
V.Yo. Stadnyk
oraz
M.O. Romanyuk
M.O. Romanyuk
| 20 mar 2018
Materials Science-Poland
Tom 35 (2017): Zeszyt 4 (December 2017)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
20 mar 2018
Zakres stron:
717 - 724
Otrzymano:
15 paź 2016
Przyjęty:
19 gru 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0115
Słowa kluczowe
heat conductivity
,
molecular dynamics
,
ab initio calculations
,
phosphorus doped silicon crystals
© 2018
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.