Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 4 (October 2013)
Otwarty dostęp
Electro-optical properties of diluted GaAsN on GaAs grown by APMOVPE
Paulina Kamyczek
Paulina Kamyczek
,
Piotr Bieganski
Piotr Bieganski
,
Ewa Placzek-Popko
Ewa Placzek-Popko
,
Eunika Zielony
Eunika Zielony
,
Lukasz Gelczuk
Lukasz Gelczuk
,
Beata Sciana
Beata Sciana
,
Damian Pucicki
Damian Pucicki
,
Damian Radziewicz
Damian Radziewicz
,
Marek Tlaczala
Marek Tlaczala
,
Krzysztof Kopalko
Krzysztof Kopalko
oraz
Maria Dabrowska-Szata
Maria Dabrowska-Szata
| 15 gru 2013
Materials Science-Poland
Tom 31 (2013): Zeszyt 4 (October 2013)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
15 gru 2013
Zakres stron:
595 - 600
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-013-0144-2
Słowa kluczowe
GaAs1−xNx
,
I-V
,
C-V
,
transmittance and reflectance spectra
© 2013 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.