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Journal of Electrical Engineering
Volume 61 (2010): Numero 6 (November 2010)
Accesso libero
Ohmic contacts to p-GaN Using Au/Ni-Mg-O Metallization
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Alberta Bonanni
Alberta Bonanni
,
Helmut Sitter
Helmut Sitter
,
Tibor Lalinský
Tibor Lalinský
,
Gabriel Vanko
Gabriel Vanko
,
Vlastimil Řeháček
Vlastimil Řeháček
,
Juraj Breza
Juraj Breza
e
Gernot Ecke
Gernot Ecke
| 07 giu 2011
Journal of Electrical Engineering
Volume 61 (2010): Numero 6 (November 2010)
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Pubblicato online:
07 giu 2011
Pagine:
378 - 381
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10187-010-0058-8
Parole chiave
p-GaN
,
Au/Ni-Mg-O/p-GaN contact structure
,
AES depth profiling
,
low resistance ohmic contact
This content is open access.