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Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 2 (June 2016)
Acceso abierto
Colossal dielectric constant of NaNbO
3
doped BaTiO
3
ceramics
Wan Q. Cao
Wan Q. Cao
,
Ling F. Xu
Ling F. Xu
,
Mukhlis M. Ismail
Mukhlis M. Ismail
y
Li L. Huang
Li L. Huang
| 18 jun 2016
Materials Science-Poland
Volumen 34 (2016): Edición 2 (June 2016)
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Article Category:
Research Article
Publicado en línea:
18 jun 2016
Páginas:
322 - 329
Recibido:
01 jul 2015
Aceptado:
14 may 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0065
Palabras clave
BaTiO
,
giant dielectric constant
,
XPS
© Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Fig. 1
Temperature dependence of dielectric constant of NN-BT ceramics with different NaNbO3 contents, sintered at 1260 °C and measured at 1 kHz.
Fig. 2
Temperature dependence of dielectric permittivity of NN-BT ceramics at different sintering temperatures measured at 1 kHz. (a) real part, (b) dielectric loss.
Fig. 3
Temperature dependence of dielectric permittivity for the 1270 °C sintered NN-BT ceramics at different frequencies (a) real part of permittivity, dielectric loss.
Fig. 4
X-ray diffraction patterns of NN-BT ceramic samples.
Fig. 5
SEM images of cross-sections of NN-BT ceramic samples sintered at (a) 1250 °C, (b) 1260 °C, (c) 1270 °C, (d) 1280 °C and (e) 1290 °C.
Fig. 6
XPS of NN-BT samples sintered at 1250 °C and 1270 °C: (a) Ti 2p, (b) O 1s, (c) Ba 3d.